用于半导体晶圆制造的动态多准则瓶颈严重度指数（DMBSI）

论文提出遗传算法优化的动态多准则瓶颈严重度指数（DMBSI），融合周期时间、工艺参数变化和返工影响，识别重入式晶圆制造中随时间迁移的瓶颈。在Seagate商业200毫米晶圆线上22个生产批次的MES日志验证中，DMBSI与周期时间贡献的Pearson相关系数为0.80，高于专家启发式基线0.74、TOC的0.60和VSM的-0.30。